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姓名:章国豪

性别:男

民族:汉族

籍贯:中国

学历:博士生导师

毕业学校:东南大学

专业信息:电磁场与微波技术

个人履历:

长期从事射频、微波及毫米波单片电路及组件等方面的产品研发,是通信终端核心射频芯片如功率放大器、极低噪声放大器、混频器、振荡器(RFIC PA 、 LNA、Mixer、VCO)等方面的国际知名专家,对GaAs HBT, GaAs pHEMT,SiGe HBT,BiCMOS FET、CMOS FET等工艺及器件模型有很深入的研究,拥有二十多年产品设计和产业化经验,积累了丰富的项目管理和研发团队管理经验。曾作为团队带头人和项目负责人主持了20多项科研项目,在国际会议及刊物上发表论文30余篇,申请明专利10项;曾多次组织和主持业界重要的国际会议和论坛,作专题邀请报告10余次。此外,还作为团队带头人参与了中国某专用射频芯片设计有限公司承担的两项国家863计划项目。
特别受聘Skyworks Inc以来,专门开发3G/4G智能手机及移动终端用的高线性射频单片集成功率放大器芯片及模组。2005年底完成鉴定的用于3G手机的高线性GaAs HBT功放产品被Motorola公司的Riza机型和Rimm公司的Blackbury的某机型独家选用,2006年总出货量上千万。2007-2008年期间领导团队开发了一种全新的功放电路架构 (Dual Mode Load Insensitive Power Amplifier Architecture)。 采用此架构的功放性能少受负载变化的影响。用此新架构的3G功放系列大受手机供应商的青睐。章博士领导的团队用此新架构推出的第一款功放产品被Sony Ericson 公司选中。2008年销量2千万。此新架构的发明被公司授予唯一2008年度发明大奖。我领导的团队用此新架构继续开发了通用于2.5G和3G手机的功放包括开关的前端模块,2009年被Nokia, Samsung,LG, Rimm, 等手机供应商选用,2009年总出货量为5千万余。章博士领导的团队还从2009年初开始于另一团队合作共同开发了最新一代多模(WCDMA/CDMA2000/LTE)共五款不同频率的手机功放芯片(含Daisy-Chain Coupler)。2010年4月开始量产, 其中两款(cell band和UMTS band)至今总出货量已超过4千万。该产品系列广泛用于手机,Tablet, 数据卡等移动终端。此功放系列采用另一种新型电路架构,在低功率段有很大的效率改善,产品性价比属业界最优。此成果研发内容已在Skyworks2010年度的技术会议上发表,并获邀在2010年11月初的IEEE ICSICT(中国上海)作特邀报告。领导的团队正开发用倒装芯片封装技术的超小型,廉价,高性能智能手机用的功放芯片系列,预计2011年中完成。此产品将极具市场竞争力,各手机大厂都看好并拭目以待我们的新一代产品。此外本人还领导参与研发用于新一代移动通讯的基站推动级功率放大器,极低噪声放大器芯片,射频多路开关芯片等射频专用芯片的研发与产业化。
曾获南京电子器件研究所(55所)科技进步一等奖及电子部科技进步二等奖。赴美工作期间,多次荣获美国公司发明大奖,被美国出版的2010年期Who’s who收编为名人录。主导撰写多部专著及公司内部技术报告。章博士现担任IEEE多种重要职务。曾多次组织和主持国际会议和论坛,作专题邀请报告10余次,并在多个科技协会和期刊中任审稿和编辑。